半導体基板上における黒リン構造ビスマス層状物質の電子状態制御

• 研究課題/領域番号: 25K08470
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 中辻 寛 東京科学大学, 物質理工学院, 准教授 (80311629)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2027年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)