シリコンキャップアニールを施したSiCの表面構造と高温長期継時特性に関する研究

• 研究課題/領域番号: 25K08474
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 広島大学
• 研究代表者: 花房 宏明 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 准教授 (70630763)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2027年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: シリコンカーバイド / オーミックコンタクト / 高温動作 / 最表面欠陥

研究開始時の研究の概要

炭化ケイ素（SiC）半導体上へ非晶質シリコン（Si）層を堆積し、熱処理する“シリコンキャップアニール（Silicon Cap Annealing: SiCA）”では、融点をはるかに下回る温度でSiC上のSi層がドット化し、さらにはSiC表面から1 nm以内の領域に何かしらの変質層が形成されることが分かっている。これによりSiCA処理されたSiCに金属を接触させるだけで低抵抗のオーミックコンタクトが形成される。本研究ではこの特異な現象について究明し、SiCA処理によるSiC最表面の状態変化と低抵抗コンタクトの関係理解を進め、金属・半導体接合分野の深化を目的とする。