| 研究課題/領域番号 |
25K08476
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
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| 研究機関 | 福岡教育大学 |
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研究代表者 |
小野田 穣 福岡教育大学, 教育学部, 准教授 (30647061)
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| 研究分担者 |
田中 悟 九州大学, 工学研究院, 教授 (80281640)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 走査トンネル顕微鏡 / リソグラフィ / 半導体 / ダングリングボンド |
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、SiC(0001)上のSiN薄膜を用いることで、局在電子から成るハニカム格子状の低次元量子系の実現を目指す。SiN表面上にはハニカム格子状に並んだSi原子のダングリングボンドが存在しており、SiN表面の水素終端法を確立し、STMリソグラフィと組み合わせることで、グラフェンナノリボンのような様々な低次元量子系の作製が可能だと考える。
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