界面欠陥制御によるGa2O3デバイスの特性向上

• 研究課題/領域番号: 25K08480
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 山下 良之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 電子・光機能材料研究センター, 主幹研究員 (00302638)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
• キーワード: Ga2O3 / 界面 / 欠陥

研究開始時の研究の概要

Ga2O3をデバイスとして用いる際、金属/Ga2O3構造、絶縁膜/Ga2O3構造を形成する必要があるが、それらの界面に形成される界面欠陥はデバイス特性に悪影響を及ぼすにもかかわらず、その原子構造が明らかになっていない. 界面欠陥の原子構造が明らかになれば、界面欠陥の消去・削減手法の開発が可能となり、特性の良いデバイスの作製が可能となる.
本研究では、オペランド光電子分光法、角度分解光電子分光法、広域X線吸収微細構造法、密度汎関数法を用いることにより、界面に形成された界面欠陥の原子構造を明らかにし、界面を制御することにより特性の良いデバイス開発を行う事を目的とする.