結晶性酸化膜／半導体ヘテロ接合による量子積層構造と高周波発振素子への展開

• 研究課題/領域番号: 25K08491
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 電気通信大学
• 研究代表者: 塚本 貴広 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 (50640942)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
• キーワード: 結晶性酸化膜

研究開始時の研究の概要

情報量の増大や無線通信における周波数ひっ迫問題において、ミリ波帯（30-300 GHz）の高い周波数の利用が求められている。低コストなⅣ族半導体により構成されたミリ波デバイスの開発が求められているが、低いバンドオフセット（0.2 eV程度）がボトルネックとなっていた。近年、デジタルDCスパッタ法により、基板垂直方向に結晶がそろった（1軸配向した）結晶性酸化膜の形成が可能となった。本研究では、独自に開発してきたスパッタエピタキシー法とデジタルDCスパッタ法を新規に組み合わせることでⅣ族半導体上に結晶性酸化膜を形成し、結晶性酸化膜／Ⅳ族半導体量子積層構造への応用を試みる。