| 研究課題/領域番号 |
25K08495
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30010:結晶工学関連
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
尾沼 猛儀 工学院大学, 先進工学部, 教授 (10375420)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2026年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2025年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
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| キーワード | 超ワイドギャップ半導体 / 酸化物半導体 / 超薄膜周期構造 / ミスト化学気相堆積法 / 真空深紫外発光 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
「水銀に関する水俣条約」により、低圧水銀灯の代替光源の開発が急務となっている。254 nmは深紫外(DUV) LEDにより代替が進んだ。一方、185 nmの代替への取り組みが求められる。本研究では、代表者がこれまでに培ったミスト化学気相堆積(ミストCVD)法による成膜技術と、独自に開発した真空・深紫外分光システムを駆使し、超ワイドバンドギャップ酸化物半導体における超薄膜形成技術を確立する。170 nmから200 nm帯の真空紫外 (VUV)、DUV域での発光を実現し、低圧水銀灯の185 nmの代替への道筋を示したい。
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