III族窒化物半導体におけるキャリアの欠陥準位への無輻射緩和過程の解明

• 研究課題/領域番号: 25K08496
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 屋山 巴 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (10741514)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2027年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2026年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2025年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: 窒化物半導体 / 宇宙材料 / 時間依存密度汎関数理論 / 量子力学

研究開始時の研究の概要

III族窒化物半導体において、高濃度ドープによる置換型欠陥の生成、および宇宙機器として宇宙線に曝露することによる欠陥の生成は、半導体機器におけるキャリアの運動に影響を及ぼし、機器の性能に直結することから、これらの欠陥の影響を調べることが重要である。本研究では、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)を用いることにより、励起状態における電子状態をあらわに求め、欠陥によるキャリア散乱過程を解明する。