局所静電プロセッシングによる材料凸融液の一軸引上成長法の開拓と自己修復結晶の創製

• 研究課題/領域番号: 25K08497
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 小区分30010:結晶工学関連
• 研究機関: 鈴鹿工業高等専門学校
• 研究代表者: 西村 高志 鈴鹿工業高等専門学校, 電気電子工学科, 准教授 (10757248)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2029-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円); 2028年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: 局所静電プロセッシング / ナノニードル結晶

研究開始時の研究の概要

本研究では膨張率が負の金属融液にて材料局所静電プロセッシングは可能か，電界強度や材料の結晶性，形状などの影響を受けてどのように結晶成長が進むのか，学理の開拓を目指す．また膨張率が正のシリコン材料での局所静電プロセッシングにて基板結晶方位と成長する微結晶構造の相関も解明する．さらに強電界分極場による原子拡散現象を利用して自己修復可能なナノニードル結晶の創製，その電子線源への応用に挑戦する．