| 研究課題/領域番号 |
25K08519
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分30020:光工学および光量子科学関連
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| 研究機関 | 木更津工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
栗本 祐司 木更津工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (80775354)
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| 研究分担者 |
岡本 保 木更津工業高等専門学校, 電気電子工学科, 教授 (80233378)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | カルコゲナイド系太陽電池 / バッファ層 / CdTe / CdZnS |
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| 研究開始時の研究の概要 |
従来的な成膜法である溶液成長法でCdZnSを作製した場合膜中のCdとZnを任意の割合で制御することは極めて困難で、CdZnS物性の精密なチューニングが出来ず高効率化の妨げとなっていた。我々が開発を進めてきた大気開放型CVD法を用いれば前記CdとZnの任意割合での制御が可能なことが明らかになった。上記「大気開放型CVD法」を用いて作製したCdZnS混晶膜をバッファ層に適用したCdTe太陽電池セルを作製し、同膜のCdとZnの割合を精密に制御し前記バッファ層伝導帯端と光吸収層のそれの間の電位障壁を最適化し特に好ましいとされる弱スパイク型にチューニングすることで同太陽電池の高効率化に挑む。
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