| 研究課題/領域番号 |
25K08669
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分34010:無機・錯体化学関連
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
三橋 了爾 金沢大学, GS教育系, 准教授 (60756667)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2027年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 非ヤーン・テラー構造 / 分子間水素結合 / 銅(II)錯体 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
Jahn-Teller効果による安定化を受けない三方歪み構造の八面体型銅(II)錯体は熱力学的に不利で、結晶学的3回対称位置では動的Jahn-Teller歪みを示す。イオン移動を示す物質は誘電性を示し、特に外部電場なしで双極子が維持される強誘電体は不揮発性メモリなどに応用される。有害なPZTに代わる材料として、本研究では水素結合による3回対称性を有する3次元骨格内に銅(II)錯体を組み込み、非Jahn-Teller型の三方歪み構造を実現する。骨格内部での動的Jahn-Teller歪みによる銅(II)イオンの移動を利用して強誘電性を発現させ、非Jahn-Teller型錯体を用いた水素結合ネットワーク結晶による新奇誘電材料の創製を目指す。
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