| 研究課題/領域番号 |
25K15770
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
小区分80040:量子ビーム科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
百合 庸介 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 先進ビーム利用施設部, 課長 (90414565)
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| 研究分担者 |
穂坂 綱一 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (00419855)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2028-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2027年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2025年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | イオントラップ / レーザー冷却 / クーロン結晶 / ナノビーム / イオン注入 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
量子コンピュータなど近年の量子技術の急速な進展とともに量子材料の超微細な加工や高品位な量子ビット作製等に関する基盤技術の重要性が一層高まっている。局所的な欠陥生成や異種元素導入を可能とする「単一イオン注入」はこのような先進応用に不可欠な手段であるが、イオンひとつひとつを微小標的の特定位置に確実に打ち込む究極的手法は未だ確立されているとは言えない。そこで本研究では、単一イオン注入の実現に向けて、イオンをほぼ静止させ個別の制御を可能とするイオントラップ・レーザー冷却技術を駆使し、トラップにて生成したクーロン結晶から超高品質のイオンを精密に引き出しナノビームを形成することを目指す。
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