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エピタキシャル薄膜成長による3d遷移金属‐チタン族金属複酸化物の開拓

研究課題

研究課題/領域番号 25K17635
研究種目

若手研究

配分区分基金
審査区分 小区分21050:電気電子材料工学関連
研究機関東北大学

研究代表者

根岸 真通  東北大学, 理学研究科, 助教 (70911147)

研究期間 (年度) 2025-04-01 – 2030-03-31
研究課題ステータス 交付 (2025年度)
配分額 *注記
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2029年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2028年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2027年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2025年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
キーワードエピタキシャル薄膜 / 遷移金属酸化物 / ジルコニウム酸化物 / ハフニウム酸化物 / ペロブスカイト構造
研究開始時の研究の概要

遷移金属複酸化物は、電子材料・磁気材料として有用な物質群だが、選択可能な元素の組み合わせが多く、未開拓の物質系も多く残っている。本研究では、3d遷移金属元素A = Mn, Fe, Co, Niとチタン族元素B = Zr, Hfからなる化合物ABO3の薄膜試料を作製し、新規遷移金属複酸化物を薄膜中で実現する。エピタキシャル薄膜成長技術を利用し、ペロブスカイト構造やイルメナイト構造など、結晶構造の安定化と制御を行う。合成した金属酸化物の電子状
態・磁気状態を解明し、新たな電子材料・磁気材料を探究する。

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公開日: 2025-04-17   更新日: 2025-06-20  

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