酸化ハフニウム基材料における電界誘起相転移に関する研究

• 研究課題/領域番号: 25K17637
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 岡本 一輝 東京科学大学, 物質理工学院, 助教 (60965937)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2025年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
• キーワード: 強誘電体 / 薄膜 / 圧電体

研究開始時の研究の概要

本研究では近年、新規強誘電体・圧電体材料として注目されている酸化ハフニウム(HfO2)基強誘電体における電界誘起相転移現象の解明を目指す。(Ce,Hf)O2単結晶薄膜を作製し、電界印加に伴う結晶構造や分極反転の変化をX線回折や分極反転モデリングを用いた定量評価を行う。