Research on Interface Properties and Hole Carrier Transport of High-power Diamond MOSFETs

• 研究課題/領域番号: 25K17641
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分21050:電気電子材料工学関連
• 研究機関: 佐賀大学
• 研究代表者: SAHA・NILOY CHANDRA 佐賀大学, 理工学部, 助教 (20933089)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2027年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円); 2026年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円); 2025年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
• キーワード: Diamond / MOSFET

研究開始時の研究の概要

This study will elucidate the underlying physics and mechanism of diamond device technology for reliable and stable high-power and high-frequency operations clarifying, the diamond surface, 2-dimensional hole carrier transport, and interface states at the insulator (Al2O3)/diamond interface.