第一原理計算による２次元半導体の不純物ドーピングの設計

• 研究課題/領域番号: 25K17816
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分26010:金属材料物性関連
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: ベ ソンミン 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (50994844)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2027年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2026年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円); 2025年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
• キーワード: 二次元半導体 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 第一原理計算 / 点欠陥 / 密度汎関数理論

研究開始時の研究の概要

本研究では、次世代半導体材料として注目される２次元遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）に対し、第一原理計算を用いて不純物ドーピングによる安定構造と電気的特性を系統的に明らかにする。理論設計によりTMDの物性制御を可能にし、実験的なドーピングプロセスの最適化に貢献する。