半導体欠陥電荷分布の超高分解能観察

• 研究課題/領域番号: 25K17817
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分26010:金属材料物性関連
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 遠山 慧子 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (90996381)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2028-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2027年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2026年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円); 2025年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
• キーワード: 走査透過電子顕微鏡 / 半導体

研究開始時の研究の概要

本研究は、電子顕微鏡を用いて半導体中の結晶欠陥における電荷分布をナノメートルスケールで観察する新しい方法を開発するものである。従来は、結晶欠陥が半導体デバイスに与える影響はマクロな測定からの推測に留まっていたが、本手法により欠陥周辺の電荷状態を定量的かつ高分解能で直接測定することが可能となる。これにより、半導体デバイスの特性を根本から理解し、将来的に高性能な電子機器の開発へとつながることが期待される。