光メモリスタへの応用に向けた局所熱刺激を用いた強誘電体ドメイン構造制御

• 研究課題/領域番号: 25K17827
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 岡山大学
• 研究代表者: 近藤 真矢 岡山大学, 環境生命自然科学学域, 助教 (20890205)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)