光メモリスタへの応用に向けた局所熱刺激を用いた強誘電体ドメイン構造制御

• 研究課題/領域番号: 25K17827
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 近藤 真矢 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (20890205)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円); 2025年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
• キーワード: 強誘電体薄膜 / 電気光学効果 / ドメイン / 光メモリスタ

研究開始時の研究の概要

情報通信分野における消費電力を抜本的に削減することが重要な課題となっており、生体の脳や神経機能を模倣した光メモリスタの開発が期待されている。そこで、メモリの書き込みと読み出しを光学的に制御し、外部刺激に対して多種多様な出力特性や高度な機能を持つ光メモリスタの実現が期待されている。本研究では、外部からの光刺激で、強誘電体のドメイン構造を選択的に制御し、多端子型光メモリスタの動作の実現を目指す。