トポロジカル半金属薄膜における不均一性設計とカイラル電磁場応答の開拓

• 研究課題/領域番号: 25K17947
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分29020:薄膜および表面界面物性関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 西早 辰一 東京科学大学, 理学院, 助教 (80966078)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)