低次元ナノ材料における誘電率制御とクーロンエンジニアリング

• 研究課題/領域番号: 25K17964
• 研究種目: 若手研究
• 配分区分: 基金
• 審査区分: 小区分30020:光工学および光量子科学関連
• 研究機関: 東京都立大学
• 研究代表者: 草場 哲 東京都立大学, 理学研究科, 助教 (00961640)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円); 2026年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2025年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
• キーワード: ナノ物質 / 原子層物質 / ナノチューブ / 励起子

研究開始時の研究の概要

原子数層の極めて薄い原子層物質やこれを丸めてチューブ状にしたナノチューブなどのナノ物質は、誘電遮蔽効果が小さいために強いクーロン相互作用を有しており、これに起因して束縛エネルギーの大きな励起子状態が形成される。さらに誘電率環境を制御することにより、キャリア間に働くクーロン相互作用を制御するクーロンエンジニアリングが提唱されている。
本研究では高次励起子状態の精密観測を行い、その励起子ポテンシャル形状を解明する。誘電率環境の変化による影響を系統的に調べ、ポテンシャル形状も含めたクーロンエンジニアリングの実現を目指す。