| 研究課題/領域番号 |
25K17970
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| 研究種目 |
若手研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 審査区分 |
小区分30020:光工学および光量子科学関連
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
市川 卓人 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究員 (41005201)
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2026年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2025年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | フェムト秒レーザー / 窒化物スパッタ膜 / 第二高調波発生 |
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| 研究開始時の研究の概要 |
圧電RFフィルター材料として普及している窒化物(GaNやAlN)スパッタ膜は，低温成膜や組成の高い自由度といったスパッタリングの特徴を活かすことにより，近年は圧電性能向上や強誘電性の発現などにも成功している．これらの性能に結びつく結晶性の評価技術が重要であるが，結晶構造を反映して生じる2次の非線形光学現象の観察は，特に大面積の薄膜の非破壊評価に有効であるにも関わらず，窒化物スパッタ膜の評価としては未だ実現されていない．本研究では，非線形光学・偏光光学に基づいて窒化物スパッタ膜の2次の非線形光学現象の観察における課題を解決し，c軸配向窒化物スパッタ膜の配向性評価法の確立を目指す．
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