電場印加磁化反転を用いた超低消費電力マルチフェロイックメモリの開発

• 研究課題/領域番号: 25KF0032
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 外国
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 東 正樹 東京科学大学, 総合研究院, 教授 (40273510)
• 研究分担者: LEE KOOMOK
• 研究期間 (年度): 2025-04-22 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 採択 (2025年度)
• 配分額: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円); 2026年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円); 2025年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)