電場印加磁化反転を用いた超低消費電力マルチフェロイックメモリの開発

• 研究課題/領域番号: 25KF0032
• 研究種目: 特別研究員奨励費
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 外国
• 審査区分: 小区分26020:無機材料および物性関連
• 研究機関: 東京科学大学
• 研究代表者: 東 正樹 東京科学大学, 総合研究院, 教授 (40273510)
• 研究分担者: LEE KOOMOK 東京科学大学, 総合研究院, 外国人特別研究員
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2027-03-31
• 研究課題ステータス: 交付 (2025年度)
• 配分額: 2,200千円 (直接経費: 2,200千円); 2026年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円); 2025年度: 1,100千円 (直接経費: 1,100千円)

研究開始時の研究の概要

室温で強誘電性と弱強磁性を併せ持つマルチフェロイック特性を示すCo置換BiFeO3(BFCO)は、電場印加による磁化反転を制御することで書き込み時の消費電力を限りなく抑えられる超低消費電力不揮発性磁気メモリの実現が期待できる。本研究ではBFCOメモリデバイス構造を試作し、電場印加磁化反転の電気的検出を目指す。また、強いスピン軌道相互作用を持つ4d-5d遷移金属元素でFeを置換することで、BFCOを上回る磁化を持つ新しいBiFeO3(BFO)系材料の探索を実施する。