| 研究課題/領域番号 |
25KF0043
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| 研究種目 |
特別研究員奨励費
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 外国 |
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| 審査区分 |
小区分21050:電気電子材料工学関連
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
本田 善央 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60362274)
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| 研究分担者 |
LU SHUN 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 外国人特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2025-04-01 – 2027-03-31
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| 研究課題ステータス |
交付 (2025年度)
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| 配分額 *注記 |
2,000千円 (直接経費: 2,000千円)
2026年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
2025年度: 1,000千円 (直接経費: 1,000千円)
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| 研究開始時の研究の概要 |
本研究では、GaNのみで構成される「All-GaNパワー統合プラットフォーム」の構築を目指す。従来のGaNとSiのハイブリッド接続では、Si基板がデバイス性能を一部制限していた。そこでGaN基板上にパワーデバイスと駆動回路を連続的かつ一体的に集積し、高性能化と小型化を同時に実現する。GaNは、電気自動車向けインバータや5G/6G基地局などの高周波・高出力用途に加え、宇宙空間や原子力分野といった過酷環境下での動作も可能である。高オン電流・高耐圧なGaNパワーデバイス、GaN駆動回路の開発、それらの統合プロセスの確立、さらにパッケージ化と動作評価を通じて、実用化に向けた基盤技術を確立する。
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