研究課題
基盤研究(A)
本研究では100nmから10nmでの極微3Dナノ構造 デバイス形成により巨大電子相変化機能をデモンストレーションすることを目的とした。マイクロ/ナノVO2ワイヤにおいて巨大な抵抗変化を創出できる【ナノ構造増感効果】を見出した。さらに三次元ナノテンプレートパルスレーザ蒸着技術確立により、最小幅20nmの酸化物ナノウォール形成、電流誘起相転移のナノ構造増感効果観測、顕微分光による50nm級ナノ電子相の直接観測、VO2平面型FETおよびハイブリットゲートVO2-FETの作製に成功した。これらを通じVO2チャネルFETにおいて最高の変調率を達成した。
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すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (20件) (うち国際共著 8件、 査読あり 20件、 謝辞記載あり 11件、 オープンアクセス 4件) 学会発表 (98件) (うち国際学会 29件、 招待講演 18件) 図書 (5件)
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