| 研究課題/領域番号 |
26246018
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
纐纈 明伯 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 理事 (10111626)
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| 研究分担者 |
村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
42,250千円 (直接経費: 32,500千円、間接経費: 9,750千円)
2016年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
2015年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2014年度: 20,670千円 (直接経費: 15,900千円、間接経費: 4,770千円)
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| キーワード | 窒化物結晶 / THVPE / エピタキシャル成長 / 気相成長 / 三元混晶 / 発光材料 / 受光材料 / HVPE / InGaN三元混晶 / 窒化物半導体 / 発光素子 / 太陽電池 / InGaN / 発光素子材料 / 大陽電池材料 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、THVPE(Tri-halide vapor phase epitaxy)と言うGaCl3およびInCl3を原料分子に用いる新しい成長法をInGaNに初めての応用した研究である。最初に、初期基板結晶の面極性依存性を調べ、GaN (000-1)面のみに成長することを初めて明らかにした。続いて、(000-1)GaN基板を用いて、Ⅲ族原料濃度と成長速度および成長組成の関係を明らかにした。その結果、成長速度が最高15.6ミクロン／時と言う非常に大きな成長速度を得ることができた。
本研究により従来の成長方法では不可能であった10ミクロン以上の厚膜InGaNエピタキシャル膜の成長に成功した。
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