高品質化の鍵となるSiC貫通転位変換過程のその場観察

• 研究課題/領域番号: 26246019
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 宇治原 徹 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)
• 研究分担者: 原田 俊太 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (30612460) ; 田渕 雅夫 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 (90222124)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 43,160千円 (直接経費: 33,200千円、間接経費: 9,960千円); 2016年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2015年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円); 2014年度: 29,900千円 (直接経費: 23,000千円、間接経費: 6,900千円)
• キーワード: 結晶成長 / 結晶欠陥

研究成果の概要

SiCは、シリコンパワーデバイスの性能を遙かに凌ぐ材料として世界中で研究開発が進んでいる。しかし、SiC基板には未だ貫通転位、基底面転位などが含まれており、これらの低減がSiCデバイスの大幅な性能・信頼性向上の鍵となる。本研究では、高温環境での結晶欠陥の挙動を知るために、成長表面その場観察とその場X線トポグラフィーを実現する装置を開発し、実際に観察を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Conversion behavior of threading screw dislocations on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, M. Tagawa, T. Ujihara
  • 雑誌名: Cryst. Growth Des 巻: 16 号: 11 ページ: 6436-6439
  • DOI: 10.1021/acs.cgd.6b01107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of V-shaped defects formed during the 4H-SiC solution growth by transmission electron microscopy and X-ray topography analysis (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Xiao, S. Harada, K. Murayama, T. Ujihara
  • 雑誌名: Cryst. Growth Des 巻: 16 号: 9 ページ: 5136-5140
  • DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00711
  • 査読あり
• [学会発表] High Quality SiC Single Crystal Grown by Soltion Growth Method (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Ujihara
  • 学会等名: Fall Meeting of the Korean Ceramics Society
  • 発表場所: Seoul
  • 年月日: 2016-11-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Control of Macrostep Structure for High-Quality SiC Grown by Liquid Phase Epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Ujihara, C. Zhu, K. Murayama, S. Harada, M.Tagawa
  • 学会等名: the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth (2016)
  • 著者名/発表者名: S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
  • 学会等名: the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2016-08-07
  • 国際学会