コアシェルヘテロ接合ナノワイヤへの位置制御ドーピングによるキャリア輸送制御

• 研究課題/領域番号: 26246021
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究者 (90302207)
• 研究分担者: 宮崎 剛 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (50354147)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2018-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2017年度)
• 配分額: 35,750千円 (直接経費: 27,500千円、間接経費: 8,250千円); 2017年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円); 2016年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円); 2015年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円); 2014年度: 16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
• キーワード: 結晶成長 / シリコン / ゲルマニウム / ナノワイヤ / ヘテロ接合 / 半導体 / ラマン分光 / 第一原理計算 / 結晶工学 / 超格子 / ナノ材料 / 量子細線 / ヘテロ構造 / ドーピング / トランジスタ / ラマン

研究成果の概要

本研究では、半導体ナノワイヤを利用した次世代高移動度トランジスタ用チャネル実現のための研究を実験および理論の両面から行った。超並列計算機の京を利用したオーダーN法第一原理計算により、約3万原子からなるSi/GeおよびGe/Si内部の電子状態を明らかにした。計算で得た知見に基づき高真空CVD装置により、急峻な界面を持つSi/GeおよびGe/Siコアシェルナノワイヤの成長制御および位置制御ドーピング技術を確立し、コアシェルヘテロ接合を構築することで不純物散乱のない高移動度チャネルが実現できていることを実験的に初めて実証した。

研究成果

• [国際共同研究] Georgia Institute of Technology(米国)
• [国際共同研究] Bulgarian Academy of Science(Bulgaria)
• [国際共同研究] Vienna University of Technology(オーストリア)
• [国際共同研究] Georgia Institute of Technology(米国)
• [雑誌論文] Functionalization of Silicon Nanostructures for Energy-Related Applications (2017)
  • 著者名/発表者名: Fukata Naoki、Subramani Thiyagu、Jevasuwan Wipakorn、Dutta Mrinal、Bando Yoshio
  • 雑誌名: Small 巻: 13 号: 45 ページ: 1701713-1701713
  • DOI: 10.1002/smll.201701713
  • 査読あり
• [雑誌論文] Pencil-shaped silicon nanowire synthesis and photovoltaic application (2017)
  • 著者名/発表者名: W. Jevasuwan, J. Chen, T. Subramani, K. C. Pradel, T. Takei, K. Dai, K. Shinotsuka Y. Hatta, and N. Fukata
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 56 ページ: 085201-085201
  • NAID: 210000148153
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-efficiency silicon hybrid solar cells employing nanocrystalline Si (2017)
  • 著者名/発表者名: Thiyagu Subramani, Junyi Chen, Yong-Lie Sun, Wipakorn Jevasuwan, and Naoki Fukata
  • 雑誌名: Nano Energy 巻: 35 ページ: 154-160
  • DOI: 10.1016/j.nanoen.2017.03.037
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Diffused back surface field formation in combination with two-step H2 annealing for improvement of silicon nanowire-based solar cell efficiency (2017)
  • 著者名/発表者名: 11)W. Jevasuwan, K. C. Pradel, T. Subramani, J. Chen, T. Takei, K. Nakajima, Y. Sugimoto, and N. Fukata
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 56
  • NAID: 210000147663
  • 査読あり
• [雑誌論文] Boron distributions in individual core-shell Ge/Si and Si/Ge heterostructured nanowires (2016)
  • 著者名/発表者名: B. Han, Y. Shimizu, J. Wipakorn, K. Nishibe, Y. Tu, K. Inoue, N. Fukata, Y. Nagai
  • 雑誌名: Nanoscale 巻: 8 号: 47 ページ: 19811-19815
  • DOI: 10.1039/c6nr04384d
  • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
• [雑誌論文] Optoelectronic Properties of Solution Grown ZnO n-p or p-n Core-Shell Nanowire Arrays (2016)
  • 著者名/発表者名: K. C. Pradel, Y. Ding, W. Wu, Y. Bando, N. Fukata and Z. L. Wang
  • 雑誌名: ACS Appl. Mater. Interfaces 巻: 8 号: 7 ページ: 4287-4291
  • DOI: 10.1021/acsami.5b11034
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Metal-catalyzed electroless etching and nanoimprinting silicon nanowire-based solar cells: Silicon nanowire defect reduction and efficiency enhancement by two-step H2 annealing (2016)
  • 著者名/発表者名: W. Jevasuwan, K. Nakajima, Y. Sugimoto, and N. Fukata
  • 雑誌名: Jpn J. Appl. Phys. 巻: 55 号: 6 ページ: 065001-065001
  • DOI: 10.7567/jjap.55.065001
  • NAID: 210000146587
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Clear experimental demonstration of hole gas accumulation in Ge/Si core-shell nanowires (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, M. Yu, W. Jevasuwan, T. Takei, Y. Bando, W. Wu, and Z. L. Wang
  • 雑誌名: ACS NANO 巻: 9 号: 12 ページ: 12182-12188
  • DOI: 10.1021/acsnano.5b05394
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Nakata, K. Toko, W. Jevasuwan, N. Fukata, N. Saitoh, N. Yoshizawa, and T. Suemasu
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 107 号: 13 ページ: 133102-133102
  • DOI: 10.1063/1.4932054
  • NAID: 120007135961
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Vertically Aligned Ge Nanowires on Flexible Plastic Films Synthesized by (111)-Oriented Ge Seeded Vapor－Liquid－Solid Growth (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Toko, M. Nakata, W. Jevasuwan, N. Fukata, and T. Suemasu
  • 雑誌名: ACS Applied Materials ＆ Interfaces 巻: 7 号: 32 ページ: 18120-18124
  • DOI: 10.1021/acsami.5b05394
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Bonding and Electronic States of Boron in Silicon Nanowires Characterized by an Infrared Synchrotron Radiation Beam (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, W. Jevasuwan, Y. Ikemoto and T. Moriwaki
  • 雑誌名: Nanoscale 巻: 7 号: 16 ページ: 7246-7251
  • DOI: 10.1039/c5nr00427f
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optimized multi-site local orbitals in the large-scale DFT program CONQUEST (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. R. Bowler and T. Miyazaki
  • 雑誌名: Phys. Chem. Chem. Phys., published online 巻: - 号: 47 ページ: 31427-31433
  • DOI: 10.1039/c5cp00934k
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Stable and Efficient Linear Scaling First-Principles Molecular Dynamics for 10000+ Atoms (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Arita, D. R. Bowler and T. Miyazaki
  • 雑誌名: J. Chem. Theory Comput 巻: 10 号: 12 ページ: 5419-5425
  • DOI: 10.1021/ct500847y
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Large-scale DFT simulations with a linear-scaling DFT code CONQUEST on K-computer (2014)
  • 著者名/発表者名: M. Arita, S. Arapan, D. R. Bowler and T. Miyazaki
  • 雑誌名: 日本シミュレーション学会英文誌 巻: 1 号: 1 ページ: 87-97
  • DOI: 10.15748/jasse.1.87
  • NAID: 130004709207
  • ISSN: 2188-5303
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] SERS substrate of doped germanium nanowires decorated with silver nanoparticles (2014)
  • 著者名/発表者名: M. E. Koleva, M. Dutta and N. Fukata
  • 雑誌名: Mater. Sci. Eng. B 巻: 187 ページ: 102-107
  • DOI: 10.1016/j.mseb.2014.05.008
  • 査読あり
• [雑誌論文] Efficient Calculations with Multisite Local Orbitals in a Large-Scale DFT Code CONQUEST (2014)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. R. Bowler and T. Miyazaki
  • 雑誌名: J. Chem. Theory Comput. 巻: 10 号: 11 ページ: 4813-4822
  • DOI: 10.1021/ct5004934
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Doping and characterization of impurity atoms in Si and Ge nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata
  • 雑誌名: phys. status solidi C 巻: 11 号: 2 ページ: 320-330
  • DOI: 10.1002/pssc.201300106
  • 査読あり
• [雑誌論文] Visible and infrared Light Emission in Boron Doped Wurtzite Silicon Nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: F. Fabbri, E. Rotunno, L. Lazzarini, N. Fukata, and G. Salviati
  • 雑誌名: Scientific Report 巻: 4 号: 1 ページ: 1-7
  • DOI: 10.1038/srep03603
  • 査読あり
• [学会発表] Realization of hole gas accumulation of p-Si/i-Ge core-shell nanowires by controlling boron doping concentration (2018)
  • 著者名/発表者名: Xiaolong Zhang, Wipakorn Jevasuwan, Thiyagu Subramani, Ryo Matsumura, and Naoki Fukata
  • 学会等名: 春季第65回応用物理学関係連合講演会
• [学会発表] Al-Catalyzed Si Nanowires on Thin Si Wafer for Photovoltaic Application (2018)
  • 著者名/発表者名: ジェバスワン ウィパコーン, チェン ジュン, イスブラマニ ティヤグ, ケン プラデル, 武井 俊朗, 松村 亮, 深田 直樹
  • 学会等名: 春季第65回応用物理学関係連合講演会
• [学会発表] Control of growth and impurity doping in Ge/Si core-shell nanowires (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, K. Nishibe, W. Jevasuwan, T. Takei, Y. Bando, W. Wu, and Z. L. Wang
  • 学会等名: 9th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Application for Nitrides and Nanomaterials/10th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology and Science
  • 発表場所: Chubu University
  • 年月日: 2017-03-01
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Control of hole gas accumulation of core-shell nanowires using Si and Ge radial heterostructures (2017)
  • 著者名/発表者名: Xiaolong Zhang, Kotaro Nishibe, Wipakorn Jevasuwan, Yoshio Bando, Zhong Lin Wang, Naoki Fukata
  • 学会等名: Nanowire Week 2017
  • 国際学会
• [学会発表] Optical Characterization of Dopant States in Si/Ge and Ge/Si Core-Shell Nanowires (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, X. Zhang, W. Jevasuwan, Y. Bando, and Zhong Lin Wang
  • 学会等名: ICO-24
  • 国際学会
• [学会発表] Selective doping and hole gas accumulation in Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires (2017)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, X. Zhang, W. Jevasuwan, Y. Bando and Zhong Lin Wang
  • 学会等名: ICDS2017
  • 国際学会
• [学会発表] Monitoring of the interfacial defects on Al-catalyzed SiNW structures and H2 annealing tretament (2017)
  • 著者名/発表者名: W. Jevasuwan, T. Subramani, J. Chen, K. Pradel, T. Takei, N. Fukata
  • 学会等名: ICDS2017
  • 国際学会
• [学会発表] Hole Gas Accumulation in Selectively Doped Ge/Si Core-Shell Nanowires (2017)
  • 著者名/発表者名: X. Zhang, W. Jevasuwan, Y. Bando, Z. L. Wang and N. Fukata
  • 学会等名: IUMRS-ICAM2017
  • 国際学会
• [学会発表] High efficiency silicon hybrid solar cells via energy management by employing nanocrystalline Si quantum dots and Si nanoholes (2017)
  • 著者名/発表者名: T. Subramani, J. Chen, W. Jevasuwan, and N. Fukata
  • 学会等名: IUMRS-ICAM2017
  • 国際学会
• [学会発表] Influence of substrate temperature on structural, optical and electrical properties of Al-catalyzed silicon nanowires for photovoltaic application (2017)
  • 著者名/発表者名: W. Jevasuwan, T. Subramani, J. Chen, K. Pradel, T. Takei, N. Fukata
  • 学会等名: IUMRS-ICAM2017
  • 国際学会
• [学会発表] Demonstration of hole gas accumulation of core-shell nanowires using Si and Ge radial heterostructures (2017)
  • 著者名/発表者名: Naoki Fukata
  • 学会等名: E-MRS 2017 FALL MEETING
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Demonstration of hole gas accumulation of core-shell nanowires using Si and Ge radial heterostructures (2017)
  • 著者名/発表者名: Naoki Fukata
  • 学会等名: IUMRS-ICA 2017
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Demonstration of hole gas accumulation control in Ge/Si core-shell nanowires (2016)
  • 著者名/発表者名: Naoki Fukata
  • 学会等名: ナノ学会
  • 発表場所: グランドパレス川端 （秋田県）
  • 年月日: 2016-12-26
  • 招待講演
• [学会発表] Impurity doping in Ge/Si core-shell nanowires (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, K. Nishibe, W. Jevasuwan, T. Takei, Y. Bando, W. Wu, and Z. L. Wang
  • 学会等名: The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials
  • 発表場所: Hawaii (USA)
  • 年月日: 2016-11-21
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Si/Geコアシェルナノワイヤ中の結晶性およびホールガス蓄積制御 (2016)
  • 著者名/発表者名: 西部 康太郎、Wipakorn Jevasuwan、Thiyagu Subramani、武井 俊朗、深田 直樹
  • 学会等名: 秋季第76回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟県）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] Demonstration of hole gas accumulation control in Ge/Si core-shell nanowires (2016)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, K. Nishibe, M. Yu, W. Jevasuwan, T. Takei, Y. Bando, W. Wu, and Z. L. Wang
  • 学会等名: CIMTEC2016
  • 発表場所: Perugia (Italy)
  • 年月日: 2016-06-06
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Characterization of dopant in Individual Si / Ge Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography (2016)
  • 著者名/発表者名: B. Han, Y. Shimizu, W. Jevasuwan, K. Nishibe, K. Inoue, N. Fukata, Y. Nagai
  • 学会等名: 春季第63回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東工大大岡山キャンパス（東京都）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] Si/Geコアシェルナノワイヤ中のドーピング制御 (2016)
  • 著者名/発表者名: 西部 康太郎、Wipakorn Jevasuwan、Thiyagu Subramani、武井 俊朗、深田 直樹
  • 学会等名: 春季第63回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東工大大岡山キャンパス（東京都）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] マルチサイト法による大規模第一原理計算：数値最適化と応用計算 (2016)
  • 著者名/発表者名: 中田彩子, David BOWLER, 宮崎剛
  • 学会等名: 日本物理学会第71回年次大会
  • 発表場所: 東北学院大学（宮城県）
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] Efficient and accurate local orbital basis functions in a linear-scaling DFT code CONQUEST (2016)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. Bowler, T. Miyazaki
  • 学会等名: APCTCC7
  • 発表場所: Kaohsiung, (Taiwan)
  • 年月日: 2016-01-25
  • 国際学会
• [学会発表] IV族半導体ナノワイヤの形成と機能化による物性制御 (2016)
  • 著者名/発表者名: 深田 直樹
  • 学会等名: 第144回結晶工学分科会研究会
  • 発表場所: 東京都市大学等々力キャンパス
  • 招待講演
• [学会発表] Dopant Distribution in Ge / Si Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography (2015)
  • 著者名/発表者名: B. Han, Y. Shimizu, K. Inoue, W. Jevasuwan, N. Fukata, Y. Nagai
  • 学会等名: 2015 MRS FALL Meeting
  • 発表場所: Boston (USA)
  • 年月日: 2015-11-29
  • 国際学会
• [学会発表] Growth and doping control of Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata, M. Yu, W. Jevasuwan, M. Mitome, Y. Bando, and Zhong Lin Wang
  • 学会等名: 1.MNC2015, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference
  • 発表場所: Toyama (Japan)
  • 年月日: 2015-11-10
  • 国際学会
• [学会発表] Efficient optimization of local orbitals and eigenstate calculations in linear-scaling DFT program CONQUEST (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. Bowler, Y. Futamura, T. Sakurai, T. Miyazaki
  • 学会等名: The 18th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations
  • 発表場所: the University of Tokyo (Tokyo)
  • 年月日: 2015-11-09
  • 国際学会
• [学会発表] The structural and electronic properties of Ge/Si core-shell nanowires: Linear-scaling DFT study (2015)
  • 著者名/発表者名: J. Lin, A. Nakata, D. Bowler, T. Miyazaki
  • 学会等名: The 18th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations
  • 発表場所: the University of Tokyo (Tokyo)
  • 年月日: 2015-11-09
  • 国際学会
• [学会発表] Si/GeおよびGe/Siコアシェルナノ構造の形成と不純物ドーピング制御 (2015)
  • 著者名/発表者名: 西部 康太郎、余 銘珂、Wipakorn Jevasuwan、武井 俊朗、深田 直樹
  • 学会等名: 秋季第75回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場(愛知県)
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Boron Distribution in Individual Ge / Si Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography (2015)
  • 著者名/発表者名: B. Han, Y. Shimizu, K. Inoue, W. Jevasuwan, N. Fukata, Y. Nagai
  • 学会等名: 秋季第75回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場(愛知県)
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Efficient optimization of local orbitals and eigenstate calculations in O(N) DFT program CONQUEST (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. Bowler, Y. Futamura, T. Sakurai, T. Miyazaki
  • 学会等名: Ψk-2015 conference
  • 発表場所: San Sebastian (Spain)
  • 年月日: 2015-09-06
  • 国際学会
• [学会発表] Large-scale DFT calculations with multi-site basis functions (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. Bowler, T. Miyazaki
  • 学会等名: DFT 2015
  • 発表場所: Debrecen (Hungary)
  • 年月日: 2015-08-31
  • 国際学会
• [学会発表] Linear scaling first-principles molecular dynamics for very large systems with the CONQUEST code (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Miyazaki
  • 学会等名: 250th American Chemical Society National Meeting & Exposition
  • 発表場所: Boston (USA)
  • 年月日: 2015-08-16
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Efficient calculations with Multi-site local orbital basis functions in order-N DFT code CONQUEST (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Nakata, D. Bowler, T. Miyazaki
  • 学会等名: 2015 ICQC Satellite Symposium in Kobe
  • 発表場所: Kobe University (Japan)
  • 年月日: 2015-06-16
  • 国際学会
• [学会発表] Ge/Si コア/シェル ナノワイヤの構造制御 (2015)
  • 著者名/発表者名: 余銘珂, ジェバスワン ウィパコーン,深田 直樹
  • 学会等名: 8.春季第62回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス(神奈川県)
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] Doping and characterization of impurity atoms in Si and Ge nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata
  • 学会等名: Advancement of Group IV Nanostructures Nanophotonics and Nanoelectronics
  • 発表場所: Kobe (Japan)
  • 年月日: 2014-11-18 – 2014-11-19
  • 招待講演
• [学会発表] Impurity doping in Si and Ge nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Fukata
  • 学会等名: Eighteenth International School on Quantum Electronics
  • 発表場所: Sozopol (Bulgaria)
  • 年月日: 2014-09-29 – 2014-10-03
  • 招待講演
• [学会発表] Ge/Si コアシェルナノワイヤ中のシェルの結晶性とドーピング評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 余銘珂, 神永惇, ウィパコーン ジェバスワン, 深田直樹
  • 学会等名: 秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（北海道）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography (2014)
  • 著者名/発表者名: 韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
  • 学会等名: 秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（北海道）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Fabrication and Characterization of Ge/Si Core/Shell Nanowire Based Devices Towards a Hole Spin Qubit (2014)
  • 著者名/発表者名: Rui Wang，Kenji Wada，Russell S. Deacon，Naoki Fukata，Koji Ishibashi
  • 学会等名: 秋季第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学（北海道）
  • 年月日: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [学会発表] Characterization of selective doping and stress in Si/Ge and Ge/Si core-shell nanowires (2014)
  • 著者名/発表者名: Mingke Yu, Wipakorn Jevasuwan, and N. Fukata
  • 学会等名: SSDM 2014
  • 発表場所: Tsukuba (Japan)
  • 年月日: 2014-09-08 – 2014-09-11
• [学会発表] Segregation and interaction of boron and phosphorus impurities in silicon nanowires during low temperature ozone oxidation (2014)
  • 著者名/発表者名: Naoki Fukata, Ryo Takiguchi, Jun Kaminaga, Riccardo Rurali, Wipakorn Jevaswan, Yoshio Bando, and Kouichi Murakami
  • 学会等名: Nanowire 2014
  • 発表場所: Eindhoven (Netherlands)
  • 年月日: 2014-08-25 – 2014-08-29
• [備考]
  • URL: https://samurai.nims.go.jp/profiles/fukata_naoki
• [備考]
  • URL: http://samurai.nims.go.jp/FUKATA_Naoki-j.html
• [備考] NIMS Researcher Database
  • URL: http://samurai.nims.go.jp/FUKATA.Naoki-j.html
• [備考] NIMS Researcher Database
  • URL: http://samurai.nims.go.jp/MIYAZAKI.Tsuyoshi-j.html
• [備考] NIMS Researcher Database
  • URL: http://samurai.nims.go.jp/FUKATA_Naoki-j.html