| 研究課題/領域番号 |
26248061
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機工業材料
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, グループリーダー (80354413)
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| 研究分担者 |
町田 友樹 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (00376633)
渡邊 賢司 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主席研究員 (20343840)
寺地 徳之 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主幹研究員 (50332747)
大場 史康 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (90378795)
中山 敦子 新潟大学, 学内共同利用施設等, 准教授 (50399383)
村田 秀信 国立研究開発法人物質・材料研究機構, その他部局等, 研究員 (30726287)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
42,900千円 (直接経費: 33,000千円、間接経費: 9,900千円)
2016年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2015年度: 12,870千円 (直接経費: 9,900千円、間接経費: 2,970千円)
2014年度: 22,750千円 (直接経費: 17,500千円、間接経費: 5,250千円)
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| キーワード | BCN化合物 / ダイヤモンド / 立方晶窒化ホウ素 / 超高圧合成 / 2次元系光・電子材料 / 立方結晶窒化ホウ素 / BCN固溶体 / 高圧合成 / B-C-N固溶体結晶 / B-C-N固溶体合成 / B-C-N薄膜合成 / ドーピング制御 / BCN固溶体結晶 / 炭素ドープ窒化ホウ素結晶 / 高圧高温合成 / ヘテロエピタキシャル成長 / ２D電子デバイス用絶縁性基板 |
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| 研究成果の概要 |
2次元系(黒鉛型)及び3次元系(ダイヤモンド型)、窒化ホウ素（BN）と炭素（C）の固溶体は結晶構造の多様性に伴い新たな機能材料としての多様性が期待されるが、高品質バルク結晶が得られた例が無い。2次元の高純度六方晶BN中への炭素ドープによるバンド端発光特性の変化、３次元系のダイヤモンド中へのB,Nの同時ドープによる光学的特性の変化、ダイヤモンド/立方晶BN接合界面の微細構造評価を行い、BCｘN結晶のｘの希薄領域における特性と、BN/C接合界面に特有の構造を明らかにした。前者では2次元光・電子デバイスにおけるhBNに求められる特性を、後者では新たな電子デバイス構造の基礎となる知見が得られた。
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