| 研究課題/領域番号 |
26249046
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
宮本 恭幸 東京工業大学, 工学院, 教授 (40209953)
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| 研究分担者 |
鈴木 寿一 北陸先端科学技術大学院大学, 学内共同利用施設等, 教授 (80362028)
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| 連携研究者 |
金澤 徹 東京工業大学, 工学院, 助教 (40514922)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
41,470千円 (直接経費: 31,900千円、間接経費: 9,570千円)
2016年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
2015年度: 11,700千円 (直接経費: 9,000千円、間接経費: 2,700千円)
2014年度: 19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
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| キーワード | トンネルFET / ヘテロ接合 / 化合物半導体 / スタガード型ヘテロ構造 / 化合物半導体MOSFET / タイプIIヘテロ構造 / InGaAs MIS構造 / 分子線エピタキシー / 格子緩和成長 / 絶縁体-半導体界面 |
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| 研究成果の概要 |
集積回路の高性能化には高オン電流/低オフ電流/低電源電圧を同時に行う必要があり、その実現には、異なる材料を組み合わせたへテロ構造と微細マルチゲート構造を持ちかつ従来とは異なる原理で動くトンネルFET（TFET）の研究開発が必要である。
理論計算を行い、それに基づき20 nm幅のダブルゲート構造InGaAs/GaAsSbトンネルFETを作製し、ゲート電圧に対する電流の変化を示すサブスレッショルド特性において従来より低い68 mV/decを確認した。
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