| 研究課題/領域番号 |
26286025
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
渡邊 賢司 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20343840)
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| 連携研究者 |
谷口 尚 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点・超高圧グループ, グループリーダー (80354413)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2016年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
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| キーワード | 六方晶窒化ホウ素 / 原子層科学 / 結晶成長 / 気相成長 / 格子欠陥 / 電子デバイス / 結晶工学 / 半導体超微細化 |
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| 研究成果の概要 |
本研究はグラフェンなどの原子層物質を応用した電子デバイスのための基板技術を提供することを目的とし、原子層基板として剥離法で多くの成果をもたらしている六方晶窒化ホウ素単結晶の結晶成長技術を、高温高圧法から量産化に有利な化学気相成長法へと展開した。成長用基板の探索を行う過程において、基板として高温高圧法による六方晶窒化ホウ素単結晶を用いたホモエピタキシャル技術を開発し、現在得られる最高品位の高温高圧法による単結晶よりも欠陥の少ない気相成長膜を得た。この技術を応用することにより六方晶窒化ホウ素のバンド端の電子状態の解明が期待される。
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