| 研究課題/領域番号 |
26286036
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 一部基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
応用物性
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
手束 展規 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (40323076)
|
|---|
| 研究分担者 |
斉藤 好昭 株式会社東芝研究開発センター, 研究開発センター, 研究主幹 (80393859)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
2016年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2015年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2014年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
|
|---|
| キーワード | スピントロニクス / スピン注入 / 磁気抵抗効果 / 半導体 / スピントランジスタ / フルホイスラー合金 / スピンシグナル / スピンMOSFET / スピンFET / スピン信号 / 微細素子作製 / 強磁性トンネル接合 |
|---|
| 研究成果の概要 |
Si/MgO/強磁性体素子において、スピン信号とソース・ドレイン端子間距離依存性について、実験を行った。微細素子作製条件(ミリング条件)の最適化をおこなうことで、Siチャネル上の金属再付着物を減らせることが分かった。また、電極にCo2FeSiホイスラー合金を用いて、素子を作製した結果、室温でスピン注入効率40％を達成した。この場合、局所測定配置での磁気抵抗比約1％を得た。
次に、Si半導体上に強磁性トンネル接合（絶縁体：MgO、電極：CoFeBとWの反平行結合膜）を作製した結果、比抵抗約10μm2、磁気抵抗比約250％の特性を得た。
|
