| 研究課題/領域番号 |
26286044
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東京都市大学 |
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研究代表者 |
澤野 憲太郎 東京都市大学, 工学部, 教授 (90409376)
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| 連携研究者 |
有元 圭介 山梨大学, 医学工学総合研究部, 准教授 (30345699)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
15,600千円 (直接経費: 12,000千円、間接経費: 3,600千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2014年度: 8,970千円 (直接経費: 6,900千円、間接経費: 2,070千円)
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| キーワード | ゲルマニウム / 結晶歪み / イオン注入 / 一軸性歪み / 結晶欠陥 / 結晶工学 / 歪み制御 / 歪みゲルマニウム / 一軸歪み / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
次世代の低消費電力、かつ高速の半導体電子デバイスに向けて、シリコンに替わる高性能材料として、ゲルマニウム（Ge）に注目し、特に高速化を可能とすべく、Geに結晶歪みを導入する技術を開発した。特に、歪みを面内で非対称にすることで最も高速化が可能であるため、選択的イオン注入法を開発し、結晶欠陥の局所的導入によって歪み状態を任意に制御すること、それによりGeに一軸性の歪みを導入することに成功した。さらに、絶縁膜上へ歪みGe膜を貼り合わせる技術を開発し、次世代高速Geデバイスへ向けて非常に有望な技術を確立した。
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