| 研究課題/領域番号 |
26286045
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名城大学 |
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研究代表者 |
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
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| 研究協力者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 准教授 (40367735)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2016年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2015年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2014年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
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| キーワード | ワイドギャップ半導体 / 窒化物半導体 / p型 / 分極ドーピング / トンネル接合 / 光デバイス / 分極 / 低温成長 / ワイドギャップ / 正孔 / エピタキシャル / トンネル現象 / 誘電体物性 / 半導体物性 |
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| 研究成果の概要 |
ワイドギャップ窒化物半導体p層の課題である高抵抗・低正孔濃度を解決するために、トンネル接合、分極ドーピング、価電子帯制御の三つの新規手法を提案し、新規発光素子への応用を検証した。その結果、MOVPE法により世界で最も抵抗の低いトンネル接合を実現し、電流狭窄マイクロLEDを実現した。さらに、分極ドーピングにより、高Al組成窒化物半導体において高キャリア濃度（1×1018cm-3以上）を実現し、縦方向に電流が流れる深紫外LEDや紫外面発光レーザを実現した。
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