| 研究課題/領域番号 |
26286069
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマエレクトロニクス
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
金子 俊郎 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (30312599)
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| 研究分担者 |
加藤 俊顕 東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 講師 (20502082)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
2016年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2014年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
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| キーワード | 気液界面プラズマ / ナノグラフェン / 量子ドット / 光電変換デバイス / 多重励起子生成 / 遷移金属ダイカルコゲナイド |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，フルスペクトル領域で多重励起子生成が可能である光電変換デバイスを創製するため，ナノグラフェンおよび遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)と半導体カーボンナノチューブ(CNT)を用いた，CNT/ナノグラフェン・TMD光電変換デバイスを作製し，その特性を測定した．まず，CNTを配置した基板上にメタンプラズマを照射することで，CNT表面にナノグラフェンが形成されることを明らかにした．また，プラズマを用いて窒素およびセシウムイオンのドーピングを試みたところ，n型特性半導体CNTが合成されることが明らかになった．さらに，CNT/TMD光電変換デバイスを作製し，初めて発電特性の測定に成功した．
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