研究課題
基盤研究(B)
スピン自由度を利用したスピン電界効果型トランジスタの特性を最大限に発揮するための要素技術として、ハーフメタル特性をもつニッケルフェライト、コバルトフェライトに着目して、これらの薄膜の作製法を確立すると共に超薄膜における物性を明らかとした。 １つの研究項目として、シリコン基板上に良好な特性をもつニッケルフェライト薄膜を作製して、良好な物性とSiOxを形成しない作製条件を見出した。また、コバルトフェライトの磁気特性と構造との相関関係を明らかとして、デバイスに必要な特性を有する膜厚条件を見出した。
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