| 研究課題/領域番号 |
26289090
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
王 冬 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 (10419616)
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| 研究分担者 |
中島 寛 九州大学, 産学連携センター, 教授 (70172301)
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| 連携研究者 |
浜本 貴一 九州大学, 総合理工学研究科, 教授 (70404027)
山本 圭介 九州大学, 総合理工学研究科, 助教 (20706387)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2016年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2015年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2014年度: 11,180千円 (直接経費: 8,600千円、間接経費: 2,580千円)
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| キーワード | Ge光素子 / 金属/半導体コンタクト / Siフォトニクス / CMOS / 電子・電気材料 / 電子密度 / GOI / Ge-光素子 / 局所歪み / 局所歪 |
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| 研究成果の概要 |
非対称な横型の金属/Ge/金属素子を使って、直接遷移による発光スペクトルを明確に観測すると共に、効率的な少数キャリア注入を実証した。低正孔障壁のPtGe/Geコンタクトと高品質なSiO2/GeO2二層保護膜を採用し、Ge光素子の性能は研究開始当初に比べて、発光効率の10倍向上、暗電流の1桁低減を実現し、研究目標値を達成した。受光素子のon/off比は約4桁、受光感度は0.7 A/Wで、研究目標値（0.4 A/W）を上回った。SbドーピングによってGe基板の電子密度を広い範囲で制御する技術を確立し、これにより、Ge光素子の発光強度の3倍向上を達成した。
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