異方性ひずみ導入によるシリサイド半導体のバンド構造制御

• 研究課題/領域番号: 26289093
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 九州工業大学
• 研究代表者: 寺井 慶和 九州工業大学, 大学院情報工学研究院, 教授 (90360049)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2016年度)
• 配分額: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円); 2016年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円); 2015年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円); 2014年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
• キーワード: シリサイド半導体 / 鉄シリサイド / バンド構造制御 / ひずみ導入 / バンド構造変化 / 半導体物性 / 光物性

研究成果の概要

本研究では、異方性ひずみ導入による鉄シリサイド半導体のバンド構造制御を目的とし、ひずみ評価技術の構築、ひずみ緩和メカニズムの検証、SiGe上への鉄シリサイドエピタキシャル成長、異方性ひずみの評価および発光寿命の評価を行った。その結果、偏光ラマン分光法によりひずみ評価技術の構築し、Si欠陥によりひずみ緩和が生じることを明らかにした。SiGe(111)上の鉄シリサイドエピタキシャル成長にもはじめて成功し、その試料においてバンド構造変化を確認した。また、発光寿命評価では鉄シリサイド半導体のバンド間遷移による発光寿命の決定に成功した。

研究成果

• [国際共同研究] Institute of Automation and/Control Processes/FEB RAS(ロシア連邦)
• [雑誌論文] A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm (2017)
  • 著者名/発表者名: A. V. Shevlyagin, D. L. Goroshko, E. A. Chusovitin, S. A. Balagan, S. A. Dotcenko, K. N. Galkin, N. G. Galkin, T. S. Shamirzaev, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, M. Iinuma, and Y. Terai
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 121 号: 11
  • DOI: 10.1063/1.4978372
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Dependence of direct transition energy on growth temperature in β-FeSi2 epitaxial films (2017)
  • 著者名/発表者名: Motoki Iinuma, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Haruki Yamaguchi and Yoshikazu Terai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 巻: 5 ページ: 011106-011106
  • DOI: 10.7567/jjapcp.5.011106
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Structural and electrical properties of β-FeSi2 polycrystalline films with low electron density (2017)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai, Takahiko Higashi, Tetsu Hattori, Kazuya Ogi, and Shuya Ikeda
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DD03-05DD03
  • DOI: 10.7567/jjap.56.05dd03
  • NAID: 210000147768
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Growth of p-type β-FeSi2 polycrystalline films by RF magnetron sputtering (2017)
  • 著者名/発表者名: Shuya Ikeda, Kazuya Ogi, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, and Yoshikazu Terai
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 巻: 5 ページ: 011204-011204
  • DOI: 10.7567/jjapcp.5.011204
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Polarized Raman spectra of BaSi2 epitaxial film grown by molecular beam epitaxy (2017)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai, Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Motoki Iinuma, and Takashi Suemasu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 56 号: 5S1 ページ: 05DD02-05DD02
  • DOI: 10.7567/jjap.56.05dd02
  • NAID: 210000147767
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Ion Channeling Measurements of β-FeSi2 Films Epitaxially Grown on Si(111) and Their Analysis by Multiple Scattering Theory (2017)
  • 著者名/発表者名: Masaya Fuchi, Mikihiro Arima, Kazumasa Narumi, Yoshikazu Terai, Yoshihito Maeda
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 巻: 印刷中 ページ: 011104-011104
  • DOI: 10.7567/jjapcp.5.011104
  • 査読あり
• [雑誌論文] Time-resolved photoluminescence properties of ion-beam-synthesized β-FeSi2 and Si-implanted Si (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu TERAI and Yoshihito MAEDA
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 54 号: 7S2 ページ: 07JB05-07JB05
  • DOI: 10.7567/jjap.54.07jb05
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effects of lattice deformations on Raman spectra in β-FeSi2 epitaxial films (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai, Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Tetsu Hattori, and Takahiko Higashi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 3
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Effects of lattice deformations on Raman spectra in β-FeSi2 epitaxial films (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai, Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Tetsu Hattori, and Takahiko Higashi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics : Conference Proceedings 巻: 印刷中
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] Sbドーピングによるβ-FeSi2エピタキシャル膜の電子密度制御 (2017)
  • 著者名/発表者名: 飯沼元輝，江口 元，村社尚紀，星田裕文，寺井慶和
  • 学会等名: 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] Si/β-FeSi2/Si 多結晶積層構造における1.5 μm発光の寿命評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 池田 修哉，瀬戸島 健太，扇 和也，岡 直大，寺井 慶和
  • 学会等名: 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] 表面損傷を与えたSi基板におけるSi欠陥発光の寿命評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 扇 和也，岡 直大，池田修哉，瀬戸島健太，寺井慶和
  • 学会等名: 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] BaSi2エピタキシャル膜における近赤外欠陥発光の評価 (2017)
  • 著者名/発表者名: 村社尚紀，星田裕文, 飯沼元輝，江口 元, 末益 崇，寺井慶和
  • 学会等名: 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）
  • 年月日: 2017-03-14
• [学会発表] Si/β-FeSi2/Si多結晶積層構造における発光スペクトル評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 池田 修哉，扇 和也，飯沼 元輝, 村社 尚紀，寺井 慶和
  • 学会等名: 2016年応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 対馬交流センター（長崎県対馬市）
  • 年月日: 2016-12-03
• [学会発表] スパッタリング法により作製したβ-FeSi2多結晶薄膜のPLスペクトル (2016)
  • 著者名/発表者名: 池田修哉，扇 和也，飯沼元輝, 村社尚紀，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟市）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] 低残留電子密度β-FeSi2/Si多結晶薄膜における光変調反射率スペクトル (2016)
  • 著者名/発表者名: 扇 和也，池田修哉，飯沼元輝，村社尚紀，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟市）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] β-FeSi2エピタキシャル膜での直接遷移エネルギーと電気特性の相関 (2016)
  • 著者名/発表者名: 飯沼元輝，村社尚紀，池田修哉，扇 和也，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟市）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] 偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分子振動モード解析 (II) (2016)
  • 著者名/発表者名: 村社尚紀，飯沼元輝，末益 崇，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟市）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] イオン多重散乱によるMBE-β-FeSi2/Siヘテロエピタキーの評価 (2016)
  • 著者名/発表者名: 淵 雅也，有馬 幹尋, 寺井 慶和，鳴海 一雅，前田 佳均
  • 学会等名: 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 朱鷺メッセ（新潟市）
  • 年月日: 2016-09-13
• [学会発表] Dependence of Direct Transition Energies on Growth Temperature in β-FeSi2 Epitaxial Films (2016)
  • 著者名/発表者名: Motoki Iinuma, Hiroaki Tsukamoto, Naoki Murakoso, Haruki Yamaguchi and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)
  • 発表場所: Nishijin Plaza, Kyushu University (Fukuoka, JAPAN)
  • 年月日: 2016-07-16
  • 国際学会
• [学会発表] Structural and electrical properties of β-FeSi2 polycrystalline films with low electron density (2016)
  • 著者名/発表者名: Kazuya Ogi, Takahiko Higashi, Shuya Ikeda,Tetsu Hattori and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)
  • 発表場所: Nishijin Plaza, Kyushu University (Fukuoka, JAPAN)
  • 年月日: 2016-07-16
  • 国際学会
• [学会発表] Growth of p-type β-FeSi2 Polycrystalline Films by RF Magnetron Sputtering (2016)
  • 著者名/発表者名: Shuya Ikeda, Kazuya Ogi, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)
  • 発表場所: Nishijin Plaza, Kyushu University (Fukuoka, JAPAN)
  • 年月日: 2016-07-16
  • 国際学会
• [学会発表] Lattice Vibrational Properties of BaSi2 Epitaxial Film in Polarized Raman Spectra (2016)
  • 著者名/発表者名: Naoki Murakoso, Haruki Yamaguchi, Motoki Iinuma, Takashi Suemasu, and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)
  • 発表場所: Nishijin Plaza, Kyushu University (Fukuoka, JAPAN)
  • 年月日: 2016-07-16
  • 国際学会
• [学会発表] Ion Channeling Measurements of β-FeSi2 Films Epitaxially Grown on Si(111) and Their Analysis by Multiple Scattering Theory (2016)
  • 著者名/発表者名: Masaya Fuchi, Mikihiro Arima, Kazumasa Narumi, Yoshikazu Terai, and Yoshihito Maeda
  • 学会等名: Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)
  • 発表場所: Nishijin Plaza, Kyushu University (Fukuoka, JAPAN)
  • 年月日: 2016-07-16
  • 国際学会
• [学会発表] β-FeSi2エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの成長温度依存性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 塚本裕明，飯沼元輝，山口陽己，村社尚紀，山﨑一輝，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大 大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] スパッタリング法で作製したβ-FeSi2多結晶薄膜内の不純物濃度分析 (2016)
  • 著者名/発表者名: 服部 哲，東 貴彦，池田修哉，扇 和也，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大 大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 偏光ラマンスペクトル測定によるBaSi2の分子振動モード解析 (2016)
  • 著者名/発表者名: 山口陽己，村社尚紀，山﨑一輝，尾方済人，塚本裕明，末益 崇，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大 大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] β-FeSi2エピタキシャル膜におけるラマンシフトの成長方位依存性 (2016)
  • 著者名/発表者名: 山﨑一輝，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東工大 大岡山キャンパス
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 鉄シリサイド半導体の基礎物性と光学応用 (2015)
  • 著者名/発表者名: 寺井 慶和，前田 佳均
  • 学会等名: 電子情報通信学会 第23回研究会「シリコンフォトニクス集積光源の現状と課題」
  • 発表場所: 石川県政記念しいのき迎賓館
  • 年月日: 2015-12-10
  • 招待講演
• [学会発表] β-FeSi2エピタキシャル膜におけるラマンスペクトルの熱処理温度依存性 (2015)
  • 著者名/発表者名: 山﨑一輝，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 応用物理学会九州支部学術講演会
  • 発表場所: 琉球大学工学部
  • 年月日: 2015-12-05
• [学会発表] スパッタリング法によるβ-FeSi2薄膜の作製と電気特性評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 東 貴彦，服部 哲，寺井慶和
  • 学会等名: 第7回半導体材料・デバイスフォーラム
  • 発表場所: 熊本，ネスト熊本
  • 年月日: 2015-11-14
• [学会発表] BaSi2エピタキシャル膜の光変調反射スペクトル (2015)
  • 著者名/発表者名: 塚本裕明，山口陽己，山﨑一輝，末益 崇，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] BaSi2エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル解析 (2015)
  • 著者名/発表者名: 山口陽己，尾方済人，塚本裕明，末益 崇，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] β-FeSi2多結晶薄膜における電気伝導機構の検証(II) (2015)
  • 著者名/発表者名: 東 貴彦，服部 哲，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Bドープβ-FeSi2多結晶薄膜における不純物の活性化過程 (2015)
  • 著者名/発表者名: 服部 哲，三村祐介，東 貴彦，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋国際会議場
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Modulation spectroscopy of iron silicides (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu TERAI
  • 学会等名: Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-19
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Photoreflectance study of surface Fermi level in β-FeSi2 epitaxial films (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Tsukamoto, H.Yamaguchi, T. Hattori, T. Higashi, Y. Terai
  • 学会等名: Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-19
  • 国際学会
• [学会発表] Polarized Raman spectra of β-FeSi2(100)//Si(001) epitaxial film (2015)
  • 著者名/発表者名: H. Yamaguchi, H. Tsukamoto, T. Hattori, T. Higashi and Y. Terai
  • 学会等名: Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-19
  • 国際学会
• [学会発表] Formation processes of β-FeSi2 polycrystalline films with low carrier density (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Higashi, T. Hattori, H. Tsukamoto, H. Yamaguchi, Y. Terai
  • 学会等名: Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-19
  • 国際学会
• [学会発表] Effects of residual carrier density on I-V curves in β-FeSi2 polycrystalline/Si heterojunctions (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Hattori, T. Higashi, H. Tsukamoto, H. Yamaguchi, Y. Terai
  • 学会等名: Third Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials
  • 発表場所: Vladivostok, Russia
  • 年月日: 2015-08-19
  • 国際学会
• [学会発表] β-FeSi2多結晶薄膜における電気伝導機構の検証 (2015)
  • 著者名/発表者名: 東 貴彦，中山翔太，服部 哲，三村祐介，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] スパッタリング法によるβ-FeSi2多結晶薄膜の伝導型制御 (2015)
  • 著者名/発表者名: 服部 哲，三村祐介，東 貴彦，中山翔太，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] SiGe(111)上へのβ-FeSi2エピタキシャル成長とひずみの評価 (2015)
  • 著者名/発表者名: 塚本裕明，草原彰吾，山口陽己，尾方済人，服部 哲，東 貴彦，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] β-FeSi2(010)//Si(110)エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル (2015)
  • 著者名/発表者名: 山口陽己，尾方済人，塚本裕明，草原彰吾，服部 哲，東 貴彦，秋山賢輔，寺井慶和
  • 学会等名: 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス
  • 年月日: 2015-03-12
• [学会発表] β-FeSi2多結晶薄膜における結晶欠陥と残留キャリア密度との相関 (2014)
  • 著者名/発表者名: 東 貴彦，服部 哲，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学 札幌キャンパス
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] n型β-FeSi2多結晶薄膜/p-Siヘテロ接合における電流-電圧特性のキャリア密度依存性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 服部 哲，東 貴彦，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和
  • 学会等名: 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学 札幌キャンパス
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] β-FeSi2 UP+構造におけるFranz-Keldysh oscillationsの温度および励起光強度依存性 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塚本裕明，山口陽己，服部 哲，東 貴彦，寺井慶和
  • 学会等名: 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学 札幌キャンパス
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] β-FeSi2 (100)//Si(001)エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル (2014)
  • 著者名/発表者名: 山口陽己，塚本裕明，服部 哲，東 貴彦，寺井慶和
  • 学会等名: 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学 札幌キャンパス
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] Time-resolved photoluminescence properties of β-FeSi2 thin films (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai and Yoshihito Maeda
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 20, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-20
• [学会発表] Electrical transport properties of β-FeSi2 epitaxial and polycrystalline films with low residual carrier density (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshikazu Terai
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 19, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-19
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of β-FeSi2 polycrystalline thin films with low residual carrier density by magnetron sputtering (2014)
  • 著者名/発表者名: Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, Hiroaki Tsukamoto, Haruki Yamaguchi, and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 19, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-19
• [学会発表] Investigation of surface Fermi level in β-FeSi2 epitaxial films by Franz-Keldysh oscillations (2014)
  • 著者名/発表者名: Hiroaki Tsukamoto, Haruki Yamaguchi, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 19, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-19
• [学会発表] Effect of β-FeSi2/Si heterointerface on electrical properties in β-FeSi2 polycrystalline thin films grown by magnetron sputtering (2014)
  • 著者名/発表者名: Takahiko Higashi, Hattori Tetsu, Hiroaki Tsukamoto, Haruki Yamaguchi, and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 19, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-19
• [学会発表] Temperature dependence of Raman spectra in β-FeSi2 epitaxial films (2014)
  • 著者名/発表者名: Haruki Yamaguchi, Hiroaki Tsukamoto, Tetsu Hattori, Takahiko Higashi, and Yoshikazu Terai
  • 学会等名: International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide 2014), July 19, 2014, Tokyo, Japan
  • 発表場所: 東京理科大学
  • 年月日: 2014-07-19
• [図書] シリサイド系半導体の科学と技術 (2014)
  • 著者名/発表者名: 前田佳均編著 （第５．３章 寺井慶和著）
  • 総ページ数: 324
  • 出版者: 裳華房