| 研究課題/領域番号 |
26289097
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
井上 耕治 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (50344718)
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| 研究分担者 |
永井 康介 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (10302209)
清水 康雄 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (40581963)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2016年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2015年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
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| キーワード | アトムプローブ / 粒界拡散 / ドーパント / マイクロ・ナノデバイス / 拡散 |
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| 研究成果の概要 |
次世代３次元構造トランジスタの特定の微細領域におけるドーパント拡散過程を明らかにするために、最新のUVレーザー型３次元アトムプローブ法を用いて、粒界、粒内、ゲート酸化膜界面を区別してドーパント分布の900℃での熱処理時間依存性を調べた。n-typeトランジスタのゲートドーパントのPとp-typeトランジスタのゲートドーパントのBでメインの拡散メカニズムが異なることが明らかになった。多結晶Siゲート中のPの拡散は粒界拡散が支配的であった。一方、Bは粒界拡散だけではなく粒内拡散も支配的であり、Pの粒界拡散よりもBの拡散のほうが速いこともわかった。
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