研究課題/領域番号 |
26289098
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 一部基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
染谷 隆夫 東京大学, 大学院工学系研究科, 教授 (90292755)
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研究分担者 |
高宮 真 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 准教授 (20419261)
櫻井 貴康 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (90282590)
関谷 毅 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (80372407)
更田 裕司 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (30587423)
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
15,730千円 (直接経費: 12,100千円、間接経費: 3,630千円)
2016年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2014年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
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キーワード | ビッグデータ / フレキシブルデバイス / 有機トランジスタ / センサシステム / アナログ集積回路 |
研究成果の概要 |
近年、ビッグデータ向けセンサの基盤を支えるエレクトロニクスの活用が進んでおり、低駆動電圧有機トランジスタの手法の一つとして、自己組織化単分子膜(SAM)が表面修飾された酸化アルミを絶縁膜として用いる研究が注目されている。このような背景のもと、酸化チタンとSAMのハイブリッド絶縁膜を用いた有機トランジスタと擬CMOSインバータを実現した。さらに、TiOx+SAM絶縁膜を用いた擬CMOSインバータの変調電圧特性および、それによってゲイン100を示す擬CMOS インバータの作製に成功した。
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