| 研究課題/領域番号 |
26289105
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 島根大学 |
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研究代表者 |
土屋 敏章 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (20304248)
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| 研究分担者 |
小野 行徳 富山大学, 大学院理工学研究部(工学), 教授 (80374073)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
2016年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2015年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2014年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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| キーワード | 電子デバイス・電子機器 / マイクロ・ナノデバイス / 表面・界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
チャージポンピング（CP）法を用いて，単一Si/SiO2界面トラップの独創的検出評価手法を開発し，系統的評価結果から，単一トラップにおける電子捕獲放出過程は２つのエネルギー準位が関与し，単一トラップからの最大CP電流ICPMAXは0～2fqの範囲の様々な値となることを初めて実証した（fはゲートパルス周波数，qは電子電荷）．これまで，ICPMAX=fq一定と広く信じられてきたが，これは根本的に誤りであることを明らかにした．また，単一トラップの２つのエネルギー準位の状態密度分布を初めて導出すると共に，トラップに関する得られた本質的性質に基づいてCP理論を原理的に修正した．
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