| 研究課題/領域番号 |
26289107
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
永瀬 雅夫 徳島大学, 大学院理工学研究部, 教授 (20393762)
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| 研究分担者 |
関根 佳明 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学部, 研究主任 (70393783)
影島 博之 島根大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (70374072)
大野 恭秀 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90362623)
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 部長 (60393740)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2016年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2015年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2014年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
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| キーワード | グラフェン / 集積化デバイス / 赤外線加熱 / 表面構造制御 / 環境制御チャンバー / 電子デバイス / ナノ材料 / 異種機能集積化 / ナノコンタクト / 電子デバイス・機器 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンデバイスの異種機能集積化デバイスの実現を目指して研究を行った。集積化デバイス技術構築の第一歩となる、大面積単結晶単層グラフェン基板の実現に成功した。超高速高温赤外線加熱装置を用いてSiC基板表面の表面構造を制御することにより高品質なグラフェン基板の作製を行った。さらに、デバイス構築に必要な各種のプロセス技術の検討を行った。実現した単結晶グラフェンの大面積性を活用して、リソグラフィプロセスの影響を排除して各種プロセスのグラフェンへの影響を検討した。その中で、特筆すべき成果としてSiC上グラフェンに対する特異な水のドーピング現象の発見が挙げられる。
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