| 研究課題/領域番号 |
26289112
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
重藤 暁津 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 構造材料研究拠点, 主幹研究員 (70469758)
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| 研究分担者 |
水野 潤 早稲田大学, ナノ理工学研究機構, 上級研究員(研究院教授) (60386737)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2016年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2015年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2014年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | 低温大気圧接合 / ワイドバンドギャップ半導体 / VUV / 接合 / 低温大気圧 / GaN / Si / SiC / PDMS / パワーエレクトロニクス / MEMS / ハイブリッド接合 / 真空紫外光 / 実装 / 電子デバイス・機器 / 複合材料・物性 / 表面・界面物性 / 低温 / 大気圧 / 表面 / 界面 / 複合材料 / 表面・界面 |
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| 研究成果の概要 |
GaNとSi（SiC）について，150℃以下かつ大気圧雰囲気で実行可能な一括接合技術を開発した．水分子など異種材に汎用性のある架橋性物質を含有する窒素雰囲気で真空紫外光（VUV）を照射することで生成するラジカル種を利用し，材料表面の清浄化と極薄架橋層の形成を同時に行い，試料表面を接触させた後の低温加熱で脱水縮合反応などを促進して強固な結合を獲得した．これにより無機，有機を問わないハイブリッド接合が実現されたほか，架橋構造が簡易なパラメタで制御可能で，界面での特性劣化が少ないことを実証した．また，従来手法で製作されたものと同様構造のデバイスを接合手法で形成可能であることが示された．
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