| 研究課題/領域番号 |
26289113
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
松川 貴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 (70287986)
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| 研究分担者 |
柳 永勲 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 上級主任研究員 (90312610)
昌原 明植 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門付き (50357993)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2016年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2015年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2014年度: 9,100千円 (直接経費: 7,000千円、間接経費: 2,100千円)
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| キーワード | テラヘルツ波 / FinFET / 先端機能デバイス / 半導体超微細化 |
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| 研究成果の概要 |
テラヘルツ波の利用は食品中の異物や違法化学物質の検出等安全・安心の実現に極めて有益であるが、高額な機器が普及に向けての障害になっている。本研究ではFinFETベースCMOSによる低コストなサブテラヘルツ波放射器の実現に向け、基盤技術の開発を行った。FinFETデバイス技術の高度化として、発振器の安定化に重要なフリッカノイズの低減技術、スケーリングにより発振周波数向上を目指す際に問題となる寄生抵抗顕在化を抑制する技術を開発した。FinFETの特性を再現するSPICEモデルを用いて発振器の設計を行い、また試作実証に向けた配線を含めたプロセスの確立、サブテラヘルツ帯計測技術の確立を行った。
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