| 研究課題/領域番号 |
26289239
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 一部基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
無機材料・物性
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 (2016)
大阪大学 (2014-2015) |
|---|
研究代表者 |
小俣 孝久 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80267640)
|
|---|
| 研究分担者 |
喜多 正雄 富山高等専門学校, その他部局等, 准教授 (00413758)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2016年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2015年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2014年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
|
|---|
| キーワード | 結晶成長 / 太陽電池 / セラミックス / 先端機能デバイス / 光物性 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では前駆体β-NaGaO2の薄膜堆積と，そのイオン交換によりβ-CuGaO2薄膜の作製方法を研究した。β-NaGaO2をターゲットとしたスパッタ法でβ-NaGaO2薄膜の堆積に成功した。薄膜をCuCl蒸気に暴露するイオン交換により，薄膜表面状態が良好なβ-CuGaO2薄膜を得た。電子ビーム蒸着法では，基板に応じた配向方位の制御も可能であることを見出し，イオン交換時の亀裂発生の抑制技術を確立した。一方，スパッタ法，蒸着法などのPVD法ではNaが欠損した組成のβ-NaGaO2膜となることが明らかとなり，CVD法が化学量論組成のβ-NaGaO2薄膜作製に適した方法であることが明らかとなった。
|
