高品質窒化ホウ素半導体へのin-situドーピング

• 研究課題/領域番号: 26289241
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 堤井 君元 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (10335995)
• 研究協力者: 松本 精一郎
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2017-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2017年度)
• 配分額: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円); 2016年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円); 2015年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円); 2014年度: 6,890千円 (直接経費: 5,300千円、間接経費: 1,590千円)
• キーワード: プラズマ加工 / 半導体物性 / 電子・電気材料 / 材料加工・処理 / 先端機能デバイス

研究成果の概要

エネルギーの有効利用や利便性に優れた電気電子機器の開発には、バンドギャップが大きい半導体を用いたパワーデバイスの開発が必要である。本研究では、放電プラズマ蒸着法による窒化ホウ素膜の気相合成過程において、ドーパントを反応雰囲気へ添加することによって、膜中へドーピングを行った。そしてドーパントを添加した膜の構造、組成、電気特性の評価を通して、電気伝導性を向上させるドーピング条件を見出し、電気伝導性を制御するための指針を確立した。