| 研究課題/領域番号 |
26289247
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
須賀 唯知 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40175401)
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| 連携研究者 |
藤野 真久 東京大学, 工学系研究科, 助教 (70532274)
赤池 正剛 東京大学, 工学系研究科, 研究員 (50150959)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,380千円 (直接経費: 12,600千円、間接経費: 3,780千円)
2016年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | ギ酸 / 低温接合 / 接合界面 / 直接接合 / 還元 / 活性化接合 / 銅ー銅接合 / 実装 / ぎ酸 / プラチナ触媒 / ハイブリッド接合 / 水素ラジカル / 接合 / 集積化 / 表面活性化 / ナノ密着層 / 銅直接接合 / 酸化膜還元 |
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| 研究成果の概要 |
Pt触媒を利用したギ酸処理による新しい低温接合技術を新たに提案した。接合のメカニズムを解析するとともに、この手法をさまざまなデバイスの集積化に適用し、その有効性を検証した。接合の基本的メカニズムについては、発生する水素ラジカルによる二段階の還元反応によって低温接合を実現することを示した。これらのプロセスパラメータの最適化により、Cu-Cu低温接合、SnAg-Cu直接接合、TSV積層接合、Cuと樹脂のハイブリッド接合、ポリマフィルムヘのナノ密着層などの様々な対象に適用し、半導体デバイスやMEMSの3D積層、パワーデバイスの大ボンディングや高温超電導線材の接合に直接適用可能であることを示した。
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