| 研究課題/領域番号 |
26289279
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属・資源生産工学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
野瀬 嘉太郎 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00375106)
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| 研究協力者 |
中塚 滋 京都大学, 工学研究科, JSPS特別研究員
井上 亮輔 京都大学, 工学研究科
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2016年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2015年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
2014年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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| キーワード | 太陽電池 / 固溶体 / 表面形態制御 / 界面構造制御 / pn反転 / カルコパイライト / pn接合 / リン化物 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，ZnSnP2の薄膜表面形態の改善に向けて，新規化合物の探索を行った。MgやCaを含む化合物の場合は大気中の水分との反応が避けられないため，CdSnP2が有望であることがわかった。また，ZnSnP2とCdSnP2は全率で固溶し，組成に応じてバンドギャップが変化することを明らかにした。薄膜作製については，Cd-Sn膜を前駆体としてリン化することによりCdSnP2が得られることがわかったが，目的の固溶体膜を得るまでには至らなかった。
一方で，ZnSnP2とCdSnP2のキャリアタイプの違いを利用してpn接合を形成できることがわかり，新たなデバイスへの展開が期待できる結果を得た。
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