研究課題
基盤研究(B)
太陽電池用多結晶シリコンの一方向凝固における核生成及び初期凝固に着目したインゴットの結晶形状制御法及び,レーザを用いた切削くずの再溶融・凝固組織制御法について調査した.ファセット系物質の一方向凝固において,インゴット全体の結晶粒径は凝固開始時の核生成及び初期凝固の過冷度に大きく影響を受けることが明らかとなった.このとき外部から低周波を付与することにより試料の液体部分を強制的に対流させることができ,凝固開始時の核生成頻度を下げるとともに,初期凝固の優先方位成長を助長することができ,シリコン結晶を粗大に成長させることができることを明らかにした.
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溶射
巻: 54(1) ページ: 12-17
Proc. of The 6th Korea-Japan Conference for Young Foundry Engineers
巻: 6 ページ: 72-74
巻: 6 ページ: 82-84