| 研究課題/領域番号 |
26350211
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
科学教育
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| 研究機関 | 鈴鹿工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
辻 琢人 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (70321502)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 半導体工学 / 集積回路ものづくり実験 / MOS電界効果トランジスタ / 理論と実践 / 工学教育 / 実験教材 / 集積回路 / ものづくり / 実験実習 |
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| 研究成果の概要 |
半導体工学を理論と実践の両面から理解することに役立てられるように，簡略化した工程を使って，集積回路を構成する重要な半導体デバイスであるMOS電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製する実験教材の開発に取り組んだ．その結果，n型不純物拡散層及びアルミニウム(Al)電極を簡略化した工程で形成することによって，比較的容易にMOSFETが作製できる実験教材が構築できた．この実験教材は，MOSFET及び集積回路の作製に必要な作製工程が全て含まれており，半導体工学を技術的及び物理的に理解することに繋がる効果的な実験教材になると思われる．
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