| 研究課題/領域番号 |
26390008
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
仲谷 栄伸 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (20207814)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2016年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
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| キーワード | nano spintronics / domain wall motion / micromagnetics / マイクロマグネティックス / 磁壁移動 / スピンホール効果 / Dzyaloshinskii-Moriya効果 / 電流磁界効果 / Dzyaloshinskii-Moriya 効果 / Fuchs-Sondheimerモデル |
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| 研究成果の概要 |
近年磁性細線上に現れる磁壁と呼ばれる構造を情報の表現媒体として利用するストレージが提案され、磁壁についての研究が盛んに行われている。特に磁壁の移動速度はストレージの動作速度に大きく関係するため、高速移動条件の調査や移動メカニズムの解明が必要とされている。本研究ではシミュレーションを用いて、近年特に注目されているジャロシンスキー守谷相互作用による高速磁壁移動条件を求め、そのメカニズムを明らかにした。
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