研究課題/領域番号 |
26390009
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
ナノ構造物理
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研究機関 | 静岡大学 |
研究代表者 |
石田 明広 静岡大学, 工学部, 教授 (70183738)
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研究協力者 |
中嶋 聖介
渡邉 祥司
青藤 唯
秋川 弘樹
フェルダ フェルディナンド
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研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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配分額 *注記 |
4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2016年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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キーワード | 中赤外レーザ / IV-VI族半導体 / 量子カスケードレーザ / 遠赤外レーザ / 中赤外線レーザ / テラヘルツレーザ / 量子井戸 / 長波長赤外線レーザ / 面発光レーザ / 鉛塩半導体 |
研究成果の概要 |
波長3~6μm帯PbTe及びPbS系バンド間遷移レーザと波長25~50μm未開拓波長域のPbTe系量子カスケードレーザの研究を行なった。バンド間遷移レーザでは高熱伝導基板であるSi上へのIV-VI族半導体の高品質成長法を開発し、SrS/PbS系レーザにおいて、室温パルス動作に成功した。未開拓波長域の量子カスケードレーザでは、In不純物準位を利用したEuTe/PbSnTe:In量子井戸を用いた量子カスケード構造を提案し、量子カスケードレーザ動作に必要なn型低キャリヤ濃度を安定して実現できることを確認した。
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